压电薄膜材料的性能分别有以下几点:1、介电常数,虽然压电薄膜为单晶薄膜或者为择优取向的多晶薄膜,但是在其中的原子堆积却不像在晶体中那样紧密和有序,因此压电薄膜的介电常数值与晶体的数值有差异。除此之外,还有在薄膜中常有的较大的残留内应力以及测量上的原因,也导致薄膜的介电常数值不同于晶体的相应数值。
压电薄膜的制备方法主要有传统的真空镀膜方法,包括真空蒸发镀膜、溅射镀膜、化学气相沉积镀膜是制备厚度在0~18μm,新型溶胶凝胶法、水热法、电泳沉积法是制备10~100μm的压电厚膜材料。压电厚膜通常是指厚度为10~100μm的压电膜,与薄膜相比,它的压电、铁电性能较少受界面、表面等的影响;由于它的厚度比较大,所以这种材料也能产生大的驱动力,且具有更宽的工作频率;与块体材料相比,其工作电压低、使用频率高、与半导体工艺兼容。
压电薄膜的主要优点分别有:(1)质量轻,它的密度只有常用的压电陶瓷PZT的四分之一,粘贴在被测物体上对原结构几乎不产生影响,高弹性柔顺性,可以加工成特定形状可以与任意被测表面完全贴合,机械强度高,抗冲击;